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VS-10TTS08-M3

更新时间： 2024-11-26 20:50:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网栅栅极
页数 文件大小 规格书
7页 178K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-220AB,

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VS-10TTS08-M3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：5.65配置：SINGLE
最大直流栅极触发电流：15 mAJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大均方根通态电流：10 A
断态重复峰值电压：800 V重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SCRBase Number Matches：1

VS-10TTS08-M3 数据手册

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VS-10TTS08PbF, VS-10TTS08-M3  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A  
FEATURES  
2
(A)  
• Designed  
JEDEC-JESD47  
and  
qualified  
according  
to  
• 125 °C max. operating junction temperature  
• Material categorization:  
3
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
2
1
1 (K)  
(G) 3  
TO-220AB  
Available  
APPLICATIONS  
• Typical usage is in input rectification crowbar (soft star)  
and AC switch in motor control, UPS, welding, and battery  
charge  
PRODUCT SUMMARY  
Package  
Diode variation  
IT(AV)  
TO-220AB  
Single SCR  
6.5 A  
DESCRIPTION  
VDRM/VRRM  
800 V  
The VS-10TTS08... high voltage series of silicon controlled  
rectifiers are specifically designed for medium power  
switching and phase control applications. The glass  
passivation technology used has reliable operation up to  
125 °C junction temperature.  
VTM  
1.15 V  
IGT  
15 mA  
TJ  
- 40 °C to 125 °C  
OUTPUT CURRENT IN TYPICAL APPLICATIONS  
APPLICATIONS  
SINGLE-PHASE BRIDGE  
THREE-PHASE BRIDGE  
UNITS  
Capacitive input filter TA = 55 °C, TJ = 125 °C,  
common heatsink of 1 °C/W  
13.5  
17  
A
MAJOR RATINGS AND CHARACTERISTICS  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS  
VALUES  
UNITS  
IT(AV)  
Sinusoidal waveform  
6.5  
10  
A
IT(RMS)  
V
RRM/VDRM  
800  
V
A
ITSM  
VT  
110  
6.5 A, TJ = 25 °C  
Range  
1.15  
V
dV/dt  
dI/dt  
TJ  
150  
V/μs  
A/μs  
°C  
100  
- 40 to 125  
VOLTAGE RATINGS  
PART NUMBER  
VRRM, MAXIMUM PEAK  
REVERSE VOLTAGE  
V
VDRM, MAXIMUM PEAK  
DIRECT VOLTAGE  
V
IRRM/IDRM  
AT 125 °C  
mA  
VS-10TTS08PbF, VS-10TTS08-M3  
800  
800  
1.0  
Revision: 26-Jul-13  
Document Number: 94572  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
1234567

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与VS-10TTS08-M3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
VS-10TTS08PBF VISHAY

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 		Thyristor High Voltage, Phase Control SCR, 10 A
VS-10TTS08S-M3 VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08SPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10TTS08STRL-M3 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08STRLPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10TTS08STRR-M3 VISHAY

获取价格

 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-263AB,
VS-10TTS08STRRPBF VISHAY

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 		Silicon Controlled Rectifier, 10A I(T)RMS, 6500mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elemen
VS-10-TX-UK ETC

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 		VIDEO/AUDIO LINK TX
VS-10UT10 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 100V V(RRM), Silicon, TO-251AA, ROHS COMPLI
VS-10UT10FNTR VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode,

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