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VEC2315

更新时间： 2024-11-04 08:13:19

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		开关通用开关
页数	文件大小	规格书
4页	375K
描述
P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications

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VEC2315 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	2.5 A	最大漏源导通电阻：	0.137 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	表面贴装：	YES
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

VEC2315 数据手册

VEC2315

Ordering number : EN8699

SANYO Sem iconductors

DATA S HEET

P-Channel Silicon MOSFETs

General-Purpose Switching Device

Applications

VEC2315

Features

•

ON-resistance

4V drive

High-density mounting

Protection diode in

(on)1=105m (typ.)

•

Halogen free compliance

Speciﬁcations

at Ta=25°C

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Drain-to-Source Voltage

Gate-to-Source Voltage

Drain Current (DC)

Symbol

Conditions

Ratings

Unit

--60

±20

--2.5

--10

0.9

DSS

GSS

Drain Current (Pulse)

Allowable Power Dissipation

Total Dissipation

PW 10 s, duty cycle 1%

≤

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm) 1unit

°C

When mounted on ceramic substrate (900mm²0.8mm)

1.0

Channel Temperature

Storage Temperature

Tch

150

Tstg

--55 to +150

Package Dimensions

unit : mm (typ)

Product & Package Information

• Package

: VEC8

7012-002

• JEITA, JEDEC

: -

• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel

0.3

0.15

6 5

Packing Type : TL

Marking

Lot No.

0.65

2.9

Electrical Connection

1 : Source1

2 : Gate1

3 : Source2

4 : Gate2

5 : Drain2

6 : Drain2

7 : Drain1

8 : Drain1

SANYO : VEC8

http://semicon.sanyo.com/en/network

30712PA TKIM TC-00002731

No.8699-1/4

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