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VEC2415

更新时间： 2024-11-05 02:57:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
5页 553K
描述
N-Channel Power MOSFET 60V, 3A, 80mΩ, Dual VEC8

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VEC2415 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.7Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

VEC2415 数据手册

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VEC2415  
Power MOSFET  
60V, 80mΩ, 3A, Dual N-Channel  
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench  
technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low  
on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge  
driving or low on resistance requirements.  
www.onsemi.com  
Features  
Low On-Resistance  
4V drive  
Low-Profile Package  
ESD Diode-Protected Gate  
Pb-Free and RoHS compliance  
Halogen Free compliance : VEC2415-TL-W  
V
R
(on) Max  
I
DSS  
DS  
D Max  
3A  
80mΩ@ 10V  
106mΩ@ 4.5V  
116mΩ@ 4V  
60V  
ELECTRICAL CONNECTION  
N-Channel  
Typical Applications  
Motor Driver  
DC/DC Converter  
8
7
6
5
1 :Source1  
2 :Gate1  
3 :Source2  
4 :Gate2  
5 :Drain2  
6 :Drain2  
7 :Drain1  
8 :Drain1  
SPECIFICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25C (Note 1)  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
Value  
Unit  
V
V
V
60  
20  
3
DSS  
GSS  
1
2
3
4
V
I
A
D
Drain Current (Pulse)  
PACKING TYPE : TL  
MARKING  
I
12  
A
DP  
PW 10s, duty cycle 1%  
Power Dissipation  
UN  
LOT No.  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2 0.8mm) 1unit  
Total Dissipation  
P
P
0.9  
W
D
T
TL  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2 0.8mm)  
1.0  
W
Junction Temperature  
Tj  
150  
C  
C  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping  
information on page 5 of this data sheet.  
Storage Temperature  
Tstg  
55 to +150  
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage  
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not  
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction to Ambient  
Symbol  
Value  
Unit  
R
JA  
138.8  
C/W  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2 0.8mm) 1unit  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
October 2015 - Rev. 1  
1
Publication Order Number :  
VEC2415/D  
12345

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