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VEC2616-TL-W

更新时间： 2024-11-05 01:18:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
7页 929K
描述
Power MOSFET

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VEC2616-TL-W 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
Reach Compliance Code：not_compliantFactory Lead Time：9 weeks
风险等级：1.49Is Samacsys：N
Base Number Matches：1

VEC2616-TL-W 数据手册

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VEC2616  
Power MOSFET  
60V, 80mΩ, 3A, –60V, 137mΩ, –2.5A,  
Complementary  
This Power MOSFET is produced using ON Semiconductor’s trench  
technology, which is specifically designed to minimize gate charge and low  
on resistance. This device is suitable for applications with low gate charge  
driving or low on resistance requirements.  
www.onsemi.com  
V
R
(on) Max  
I
Features  
• Low On-Resistance  
• 4V drive  
• Low-Profile Package  
DSS  
DS  
D Max  
3A  
80mΩ@ 10V  
106mΩ@ 4.5V  
116mΩ@ 4V  
N-Ch  
60V  
• Complementary N-Channel and P-Channel MOSFET  
• ESD Diode-Protected Gate  
• Pb-Free, Halogen Free and RoHS compliance  
137mΩ@ −10V  
180mΩ@ −4.5V  
194mΩ@ −4V  
P-Ch  
−2.5A  
−60V  
Typical Applications  
• Motor Driver  
ELECTRICAL CONNECTION  
N-Channel and P-Channel  
8
7
6
5
SPECIFICATIONS  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING at Ta = 25°C (Note 1)  
1 : Source1  
2 : Gate1  
3 : Source2  
4 : Gate2  
5 : Drain2  
6 : Drain2  
7 : Drain1  
8 : Drain1  
Parameter  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current (DC)  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
−60  
Unit  
V
V
V
60  
20  
3
DSS  
GSS  
20  
V
I
−2.5  
A
D
Drain Current (Pulse)  
I
12  
−10  
A
DP  
PW ≤ 10μs, duty cycle ≤ 1%  
1
2
3
4
Power Dissipation  
When mounted on ceramic substrate  
P
P
0.9  
PACKING TYPE : TL  
MARKING  
W
D
T
(900mm2  
× 0.8mm) 1unit  
Total Dissipation  
UP  
LOT No.  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2  
× 0.8mm)  
Junction Temperature  
1.0  
W
TL  
Tj  
150  
°C  
°C  
Storage Temperature  
Tstg  
−55 to +150  
Note 1 : Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage  
the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not  
be assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping  
information on page 7 of this data sheet.  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Junction to Ambient  
When mounted on ceramic substrate  
(900mm2  
0.8mm) 1unit  
Symbol  
Value  
138.8  
Unit  
R
θJA  
°C/W  
×
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2015  
October 2015 - Rev. 1  
1
Publication Order Number :  
VEC2616/D  
1234567

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