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UPD421000C-10L

更新时间: 2024-09-15 20:29:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器
页数 文件大小 规格书
16页 669K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC

UPD421000C-10L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP18,.3
针数:18Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9最长访问时间:100 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T18
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:18字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP18,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD421000C-10L 数据手册

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