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UPD421000C-70

更新时间： 2024-01-13 07:59:26

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	374K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

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UPD421000C-70 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDIP-T18
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	18
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX1
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD421000C-70L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
UPD421000C-80	RENESAS	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
UPD421000C-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
UPD421000C-80L	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
UPD421000C-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
UPD421000GX-10	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-10L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-60L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-70	RENESAS	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20