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UPD421000GX-80

更新时间： 2024-09-13 20:23:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	374K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20

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UPD421000GX-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, TSOP1-24/20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
长度：	14.4 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP1	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	512	座面最大高度：	1.1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	6 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD421000GX-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-10	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-10L	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
UPD421000GXM-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-60L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-70L	NEC	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC
UPD421000GXM-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000LA-10	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20