5秒后页面跳转
UPD421000LA-80 PDF预览

UPD421000LA-80

更新时间: 2024-10-14 20:29:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 669K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,SOJ,20PIN,PLASTIC

UPD421000LA-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34
针数:20Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9最长访问时间:80 ns
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDSO-J20
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ20/26,.34
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:512最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.07 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

UPD421000LA-80 数据手册

 浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号UPD421000LA-80的Datasheet PDF文件第7页 

与UPD421000LA-80相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPD421000LA-80L NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
UPD421000LA-80L RENESAS

获取价格

1MX1 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
UPD421000V-10 RENESAS

获取价格

1MX1 FAST PAGE DRAM, 100ns, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
UPD421000V-10L ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD421000V-12 ETC

获取价格

x1 Fast Page Mode DRAM
UPD421000V-60 RENESAS

获取价格

IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC
UPD421000V-60L NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
UPD421000V-70 NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
UPD421000V-70L NEC

获取价格

Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
UPD421000V-70L RENESAS

获取价格

1MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20