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UPD421000V-70

更新时间: 2024-09-15 20:23:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 374K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PZIP20, 0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20

UPD421000V-70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:0.350 INCH, PLASTIC, ZIP-20
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PZIP-T20
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX1
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:ZIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:10.16 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:1.27 mm
端子位置:ZIG-ZAG宽度:2.8 mm
Base Number Matches:1

UPD421000V-70 数据手册

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