生命周期: | Obsolete | 包装说明: | PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.83 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G20 | 长度: | 14.4 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM |
内存宽度: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 20 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX1 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1-R |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 512 |
座面最大高度: | 1.1 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
UPD421000GXM-70 | NEC |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20 | |
UPD421000GXM-70L | NEC |
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IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC | |
UPD421000GXM-80 | NEC |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20 | |
UPD421000GXM-80L | NEC |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20 | |
UPD421000LA-10 | NEC |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
UPD421000LA-10L | NEC |
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Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
UPD421000LA-12 | ETC |
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x1 Fast Page Mode DRAM | |
UPD421000LA-60 | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
UPD421000LA-60 | RENESAS |
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1MX1 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 | |
UPD421000LA-60L | NEC |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20 |