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UPD421000GXM-80L

更新时间: 2024-10-30 20:23:11
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
16页 374K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20

UPD421000GXM-80L 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:14.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
刷新周期:512座面最大高度:1.1 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:6 mm
Base Number Matches:1

UPD421000GXM-80L 数据手册

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