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UPD421000GX-70L

更新时间： 2024-10-30 20:29:27

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	669K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20

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UPD421000GX-70L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1,
针数：	20	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G20	长度：	14.4 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	20
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD421000GX-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-10	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-10L	ETC	获取价格	x1 Fast Page Mode DRAM
UPD421000GXM-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-60L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-70L	NEC	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC
UPD421000GXM-80	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
UPD421000GXM-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20