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UPD421000C-80

更新时间： 2024-10-30 20:23:11

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	374K
描述
Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

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UPD421000C-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	80 ns	其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDIP-T18	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	1
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	18	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX1	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	5.08 mm	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPD421000C-80L	RENESAS	获取价格	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX1,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC
UPD421000C-80L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18
UPD421000GX-10	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-10L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-60	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-60L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-70	RENESAS	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-70	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-70L	NEC	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
UPD421000GX-70L	RENESAS	获取价格	1MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20