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UPD421000C-12

更新时间: 2024-09-15 20:29:27
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 动态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
16页 669K
描述
1MX1 FAST PAGE DRAM, 120ns, PDIP18, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-18

UPD421000C-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP18,.3
针数:18Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.9Is Samacsys:N
最长访问时间:120 nsI/O 类型:SEPARATE
JESD-30 代码:R-PDIP-T18JESD-609代码:e0
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:1端子数量:18
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX1输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP18,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:512
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.04 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

UPD421000C-12 数据手册

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