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UPA2709GR-E1-A

更新时间： 2024-09-13 19:55:03

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	143K
描述
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER SOP-8

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UPA2709GR-E1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, POWER SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	雪崩能效等级（Eas）：	17 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	13 A	最大漏源导通电阻：	0.015 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3/e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	52 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2709GR-E1-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

μ PA2709GR

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The μ PA2709GR is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for DC/DC converter and power management

applications of notebook computer.

1, 2, ꢀ : Source

: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

FEATURES

• Low on-state resistance

6.0 0.ꢀ

4.4

R^DS(on)1= 10.5 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 7.0 A)

R^DS(on)2= 15 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 7.0 A)

• Low Q^GD: QGD = 3.3 nC TYP. (VDD = 15 V, ID = 13 A)

• Built-in gate protection diode

5.ꢀ7 MAX.

0.8

0.5 0.2

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.10

1.27 0.78 MAX.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

μ PA2709GR-E1-A

μ PA2709GR-E2-A

PACKAGE

Power SOP8

Note

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode and other parts.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

EQUIVALENT CIRCUIT

Drain

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation ^Note2

Total Power Dissipation (PW = 10 sec) ^Note2

Channel Temperature

1.1

°C

Body

Diode

Gate

P^T2

2.5

150

T^ch

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Gate

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

Protection

Diode

I^AS

Source

E^AS

2. Mounted on glass epoxy board of 25.4 mm x 25.4 mm x 0.8 mm

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = 15 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 μH

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G17515EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2005 NS CP(K)

Printed in Japan

2005

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA2710GR-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
UPA2711	ETC	获取价格	UPA2711GR Preliminary Product Information \| Preliminary Product Information[01/2002]
UPA2711GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2711GR-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UPA2711GR-A	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UPA2711GR-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),SO
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