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UPA2715GR-E1-A

更新时间： 2024-09-15 21:05:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		ISM频段开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	126K
描述
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, POWER SOP-8

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UPA2715GR-E1-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	LEAD FREE, POWER SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.7	雪崩能效等级（Eas）：	32.4 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.009 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e3/e6	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	150 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN/TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2715GR-E1-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

μPA2715GR

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The μPA2715GR is P-Channel MOS FET designed for

power management applications of notebook computers

and Li-ion battery protection circuit.

1, 2, ꢀ

: Source

: Gate

5, 6, 7, 8 : Drain

FEATURES

•

Low on-state resistance

R^DS(on)1= 4.6 mΩ MAX. (VGS = −10 V, ID = −9.0 A)

R ^DS(on)2= 9.0 mΩ MAX. (VGS = −4.5 V, ID = −9.0 A)

Low C^iss: Ciss = 3500 pF TYP.

6.0 0.ꢀ

4.4

•

Built-in gate protection diode

5.ꢀ7 MAX.

0.8

Small and surface mount package (Power SOP8)

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

0.5 0.2

PACKAGE

Power SOP8

0.10

1.27 0.78 MAX.

μPA2715GR-E1-A^Note

μPA2715GR-E2-A^Note

+0.10

0.40

0.12 M

–0.05

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external

electrode and other parts.)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (VDS = 0 V)

Drain Current (DC)

VDSS

−30

m20

EQUIVALENT CIRCUIT

VGSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

m18

Drain

Drain Current (pulse) ^Note1

m150

Total Power Dissipation ^Note2

Total Power Dissipation (PW = 10 sec) ^Note2

Channel Temperature

PT1

P^T2

T^ch

Tstg

I^AS

1.1

2.5

Body

Diode

Gate

150

°C

Gate

Protection

Diode

Storage Temperature

−55 to +150

−18

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Notes 1. PW ≤ 10 μs, Duty Cycle ≤ 1%

Source

E^AS

32.4

2. Mounted on a glass epoxy board of 25.4 mm²× 0.8 mm, PW = 10 sec

3. Starting T^ch= 25°C, VDD = −15 V, RG = 25 Ω, L = 100 μH, VGS = −20 → 0 V

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this

device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage

may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G16826EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published June 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2003, 2006

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2715GR-E2-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
UPA2716AGR-E2-AT	RENESAS	获取价格	14A, 30V, 0.0135ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, POWER, SOP-8
UPA2716GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2717GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2717GR-A	RENESAS	获取价格	15A, 30V, 0.0104ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA2717GR-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,15A I(D),SO
UPA2717GR-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,15A I(D),SO
UPA2718GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2718GR-A	RENESAS	获取价格	13A, 30V, 0.0145ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA2718GR-E1	RENESAS	获取价格	UPA2718GR-E1

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