UPA2713GR

更新时间： 2024-10-13 22:38:43

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA2713GR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA2713GR 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA2713GR

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA2713GR is P-channel MOS Field Effect Transistor

designed for power management applications of notebook

computers and Li-ion battery protection circuit.

1, 2, 3 : Source

: Gate

5, 6, 7, 8: Drain

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 16 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −4.0 A)

R^DS(on)2= 25 mΩ MAX. (V^GS= −4.5 V, I^D= −4.0 A)

R^DS(on)3= 30 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −4.0 A)

• Low C^iss: C^iss= 1600 pF TYP.

6.0 ±0.3

4.4

5.37 MAX.

0.8

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

ORDERING INFORMATION

+0.10

0.40

0.12 M

–0.05

PART NUMBER

PACKAGE

µPA2713GR

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation ^Note2

Total Power Dissipation ^Note3

Channel Temperature

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

−30

m20

m32

EQUIVALENT CIRCUIT

°C

P^T2

Drain

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Body

Single Avalanche Current ^Note4

Single Avalanche Energy ^Note4

I^AS

Diode

Gate

E^AS

6.4

Source

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm

3. Mounted on a glass epoxy board (1 inch x 1 inch x 0.8 mm), PW = 10 sec

4. Starting T^ch= 25°C, V^DD= −15 V, R^G= 25 Ω, L = 100 µH, V^GS= −20 → 0 V

Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately

degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as

possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G15981EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7

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与UPA2713GR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2713GR-A	RENESAS	获取价格	8000mA, 30V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA2713GR-E1-A	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -30V -8A 16Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape
UPA2713GR-E2	RENESAS	获取价格	UPA2713GR-E2
UPA2713GR-E2-AT	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -30V -8A 16Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape
UPA2714	ETC	获取价格	UPA2714GR Data Sheet \| Data Sheet[11/2002]
UPA2714GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2714GR(0)-E1-A	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -30V -7A 20Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape
UPA2714GR(0)-E2-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,7A I(D),SO
UPA2714GR-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA2714GR-E1-A	RENESAS	获取价格	Pch Single Power Mosfet -30V -7A 20Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape

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