UPA2710GR

更新时间： 2024-10-29 22:38:43

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA2710GR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	POWER, SOP-8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	22.5 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.011 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	6
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA2710GR 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA2710GR

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA2710GR is P-Channel MOS Field Effect Transistor

designed for power management applications of notebook

computers and Li-ion battery protection circuit.

1, 2, 3

: Source

: Gate

5, 6, 7, 8 : Drain

FEATURES

• Low on-state resistance

R^DS(on)1= 5.5 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –7.5 A)

R^DS(on)2= 9.0 mΩ MAX. (V^GS= –4.5 V, I^D= –7.5 A)

R^DS(on)3= 11 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –7.5 A)

• Low C^iss: C^iss= 4300 pF TYP.

6.0 ±0.3

4.4

5.37 MAX.

0.8

★

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

ORDERING INFORMATION

+0.10

0.40

0.12 M

–0.05

PART NUMBER

PACKAGE

µPA2710GR

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

–30

m20

EQUIVALENT CIRCUIT

m15

Drain

Drain Current (pulse) ^Note1

m100

Note2

Total Power Dissipation

°C

Body

Note3

Total Power Dissipation

P^T2

150

Diode

Gate

Channel Temperature

T^ch

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 150

−15

Single Avalanche Current ^Note4

Single Avalanche Energy ^Note4

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

Source

I^AS

E^AS

22.5

2. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm

3. Mounted on a glass epoxy board (1 inch x 1 inch x 0.8 mm), PW = 10 sec

4. Starting T^ch= 25°C, V^DD= –15 V, R^G= 25 Ω, L = 100 µH, V^GS= –20 → 0 V

Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately

degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as possible,

and quickly dissipate it once, when it has occurred.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

The mark ★ shows major revised points.

Document No. G15978EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published February 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA2710GR-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
UPA2711	ETC	获取价格	UPA2711GR Preliminary Product Information \| Preliminary Product Information[01/2002]
UPA2711GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2711GR-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UPA2711GR-A	RENESAS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UPA2711GR-E1	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),SO
UPA2711GR-E2	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,30V V(BR)DSS,13A I(D),SO
UPA2712	ETC	获取价格	UPA2712GR Data Sheet \| Data Sheet[11/2002]
UPA2712GR	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA2712GR-A	NEC	获取价格	暂无描述

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