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UPA1730TP PDF预览

UPA1730TP

更新时间： 2024-09-25 12:16:59
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 67K
描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA1730TP 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.18
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：22.5 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：28 A最大漏源导通电阻：0.015 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UPA1730TP 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
µ
PA1730TP  
SWITCHING  
P-CHANNEL POWER MOS FET  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)  
The µ PA1730TP which has a heat spreader is a P-Channel  
MOS Field Effect Transistor designed for power management  
applications of notebook computers and Li-ion battery protection  
circuit.  
8
5
1, 2, 3  
4
5, 6, 7, 8, 9 ; Drain  
; Source  
; Gate  
FEATURES  
• Low on-state resistance  
6.0 ±0.3  
1
4
0.8 ±0.2  
4.4 ±0.15  
+0.17  
–0.2  
5.2  
DS(on)1  
R
DS(on)2  
R
DS(on)3  
R
GS  
D
= 9.5 mΩ MAX. (V = –10 V, I = –6.5 A)  
S
GS  
D
= 13.5 mΩ MAX. (V = –4.5 V, I = –6.5 A)  
GS  
D
= 15.0 mΩ MAX. (V = –4.0 V, I = –6.5 A)  
0.10  
S
1.27 TYP.  
iss  
iss  
• Low C : C = 3800 pF TYP.  
+0.10  
–0.05  
0.40  
0.12 M  
• Built-in G-S protection diode  
1
4
• Small and surface mount package (Power HSOP8)  
2.0 ±0.2  
9
ORDERING INFORMATION  
4.1 MAX.  
PART NUMBER  
PACKAGE  
µ PA1730TP  
Power HSOP8  
8
5
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C, Unless otherwise noted, All terminals are connected.)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
–30  
!20  
!28  
!15  
!100  
40  
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
EQUIVALENT CIRCUIT  
D(DC)1  
D(DC)2  
Drain Current (DC)  
I
I
A
Drain Current (DC) Note1  
Drain Current (pulse) Note2  
Drain  
A
D(pulse)  
I
A
Body  
C
T1  
P
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
W
W
°C  
Diode  
Gate  
Note1  
A
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
T2  
P
3
Gate  
Protection  
Diode  
ch  
T
Channel Temperature  
150  
Source  
stg  
T
Storage Temperature  
–55 to +150 °C  
Single Avalanche Current Note3  
Single Avalanche Energy Note3  
AS  
I
−15  
A
AS  
E
22.5  
mJ  
Notes 1. Mounted on a glass epoxy board (1 inch x 1 inch x 0.8 mm), PW = 10 sec.  
2. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
3. Starting Tch = 25°C, VDD = −15 V, RG = 25 Ω, VGS = −20 → 0 V  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When  
this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated  
voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published March 2002 NS CP(K)  
Printed in Japan  
G15935EJ1V0DS00 (1st edition)  
2002  
©
12345678

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与UPA1730TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA1730TP-AZ NEC

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 		Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
UPA1731 NEC

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 		SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1731G NEC

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 		SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1731G RENESAS

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UPA1740 ETC

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 		UPA1740TP Data Sheet | Data Sheet[05/2002]
UPA1740TP NEC

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 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1740TP-AZ NEC

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 		暂无描述

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