UPA1744TP

更新时间： 2024-01-28 10:03:09

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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7页	76K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA1744TP 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	雪崩能效等级（Eas）：	10 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.03 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1744TP 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µ PA1744TP

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The µ PA1744TP is N-channel MOS FET device that features a

low on-state resistance and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as DC/DC converter.

1, 2, 3

5, 6, 7, 8, 9: Drain

: Source

: Gate

FEATURES

• Low on-state resistance

6.0 ±0.3

0.8 ±0.2

4.4 ±0.15

+0.17

–0.2

5.2

R^DS(on)= 30 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 5.0 A)

• Low input capacitance

C^iss= 3400 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in gate protection diode

0.10

1.27 TYP.

+0.10

0.40

0.12 M

–0.05

• Small and surface mount package (Power HSOP8)

2.0 ±0.2

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

4.1 MAX.

µ PA1744TP

Power HSOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, Unless otherwise noted, all terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T1

100

±20

EQUIVALENT CIRCUIT

±10

±30

Drain

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C) ^Note2

Channel Temperature

°C

P^T2

3.0

Body

Diode

Gate

Tch

150

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

Gate

I^AS

Protection

Diode

Source

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on glass epoxy board of 1 inch x 1 inch x 0.8 mm

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 50 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V, L = 100 µH

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G16410EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published March 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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UPA1755	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1755G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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UPA1756G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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