UPA1758G-AZ

更新时间： 2024-09-24 12:58:15

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	60K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.04ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8

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UPA1758G-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1758G-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1758

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

This product is Dual N-Channel MOS Field Effect Transistor designed for power management application of

notebook computers, and Li-ion battery application.

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

FEATURES

• Dual MOS FET chips in small package

• 2.5 V gate drive type low on-state resistance

; Source 1

; Gate 1

DS(on)1

= 30 mΩ (MAX.) (V = 4.5 V, I = 3.0 A)

7, 8; Drain 1

DS(on)2

= 40 mΩ (MAX.) (V = 2.5 V, I = 3.0 A)

; Source 2

; Gate 2

iss

• Low C : C = 1100 pF (TYP.)

5, 6; Drain 2

• Built-in G-S protection diode

6.0 ±0.3

4.4

• Small and surface mount package (Power SOP8)

5.37 Max.

0.8

ORDERING INFORMATION

0.5 ±0.2

PART NUMBER

PACKAGE

0.10

1.27 0.78 Max.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

µPA1758G

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

EQUIVALENT CIRCUIT

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0)

±12.0

±6.0

±24

1.7

GSS

Gate to Source Voltage (V = 0)

Drain

D(DC)

Drain Current (DC)

Drain Current (Pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (1 unit) ^Note2

Total Power Dissipation (2 unit) ^Note2

Channel Temperature

D(pulse)

Body

Diode

Gate

°C

2.0

Gate

Protection

Diode

150

Source

stg

Storage Temperature

–55 to + 150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Mounted on ceramic substrate of 2000 mm²x 1.1 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No.

D12911EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published October 1998 NS CP(K)

Printed in Japan

1998

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1758G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1758G-E1
UPA1758G-E1-AT	RENESAS	获取价格	UPA1758G-E1-AT
UPA1758G-E2	RENESAS	获取价格	UPA1758G-E2
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UPA1759	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1759G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1759G-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,5A I(D),SO
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UPA1760G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1760G-E1
UPA1760G-E1-AT	RENESAS	获取价格	Nch Dual Power Mosfet 30V 8.0A 26.0Mohm Power Sop8, SOP, /Embossed Tape

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