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UPA1753

更新时间： 2024-02-20 02:10:29

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其他 - ETC		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	83K
描述
TRANSISTOR \| MOSFET \| MATCHED PAIR \| N-CHANNEL \| 20V V(BR)DSS \| 6A I(D) \| SO

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UPA1753 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1753 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTORS

µPA1753

SWITCHING

DUAL N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

PACKAGE DIMENSIONS

This product is Dual N-Channel MOS Field Ef-

fect Transistor designed for power management

application of notebook computers, and Li-ion bat-

tery application.

(in: millimeter)

; Source 1

; Gate 1

7, 8; Drain 1

FEATURES

; Source 2

; Gate 2

•

Dual MOSFET chips in small package

2.5 V Gate Drive Type and Low On-Resistance

5, 6; Drain 2

DS(on)1 = 30 mΩ Max. (VGS = 4.5 V, I

DS(on)2 = 40 mΩ Max. (VGS = 2.5 V, I

= 3.0 A)

6.0 ±0.3

4.4

5.37 Max.

0.8

•

Low C^issCiss = 740 pF Typ.

Built-in G-S Protection Diode

Small and Surface Mount Package

(Power SOP8)

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 Max.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 ˚C, all terminals are connected)

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

VDSS

VGSS

I^D(DC)

ID(pulse)

±8.0

Drain

Drain Current (DC)

±6.0

Body

Diode

Drain Current (pulse)^{Note 1}

Total Power Dissipation (1 unit)^{Note 2}

Total Power Dissipation (2 unit)^{Note 2}

Channel Temperature

±24

Gate

1.7

˚C

2.0

Gate

Protection

Diode

T^ch

150

Source

Storage Temperature

Tstg

–55 to +150

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. TA = 25 ˚C, Mounted on ceramic substrate of 2000 mm²× 1.1 mm

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this

device acutally used, an additional protection circuit is externally required if voltage exceeding the rated voltage may

be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice.

Document No. D11496EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published October 1996 N

Printed in Japan

1996

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1755	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1755G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1756	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1756G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1756G	RENESAS	获取价格	6A, 20V, 0.04ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1756G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1756G-E1
UPA1757	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1757G	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
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