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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> UPA1763G-A
UPA1763G-A PDF预览

UPA1763G-A

更新时间： 2024-02-06 11:10:14
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
8页 72K
描述
Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 60V, 0.066ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8

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UPA1763G-A 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.21雪崩能效等级（Eas）：60 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.066 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e6
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Bismuth (Sn98Bi2)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UPA1763G-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
PA1763  
µ
SWITCHING  
DUAL N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)  
The µPA1763 is N-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for DC/DC Converters.  
8
5
1
2
: Source 1  
: Gate 1  
7, 8 : Drain 1  
FEATURES  
• Dual chip type  
• Low on-resistance  
3
4
: Source 2  
: Gate 2  
5, 6 : Drain 2  
DS(on)1  
R
DS(on)2  
R
DS(on)3  
R
GS  
D
= 47.0 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 2.3 A)  
★
★
★
6.0 ±0.3  
4.4  
1
4
GS  
D
= 57.0 mΩ MAX. (V = 4.5 V, I = 2.3 A)  
5.37 MAX.  
0.8  
GS  
D
= 66.0 mΩ MAX. (V = 4.0 V, I = 2.3 A)  
• Low input capacitance  
iss  
C
= 870 pF TYP.  
★
0.5 ±0.2  
0.10  
1.27 0.78 MAX.  
• Built-in G-S protection diode  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
+0.10  
0.40  
0.12 M  
–0.05  
ORDERING INFORMATION  
PART NUMBER  
PACKAGE  
µPA1763G  
Power SOP8  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, All terminals are connected.)  
DSS  
Drain to Source Voltage  
V
60  
±20  
±4.5  
±18  
1.7  
2.0  
4.5  
60  
V
GSS  
Gate to Source Voltage  
V
V
EQUIVALENT CIRCUIT  
(1/2 Circuit)  
D(DC)  
Drain Current (DC)  
I
A
Drain Current (pulse) Note1  
Total Power Dissipation (1 unit) Note2  
Total Power Dissipation (2 unit) Note2  
Single Avalanche Current Note3  
Single Avalanche Energy Note3  
Channel Temperature  
D(pulse)  
I
A
T
P
W
W
A
Drain  
T
P
★
★
I
AS  
Body  
Diode  
Gate  
AS  
E
mJ  
°C  
ch  
T
150  
Gate  
Protection  
Diode  
stg  
T
Storage Temperature  
–55 to + 150 °C  
Source  
Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %  
2. TA = 25 °C, Mounted on ceramic substrate of 1200 mm2 x 2.2 mm  
3. Starting Tch = 25 °C, RG = 25 Ω, VGS = 20 V → 0 V  
★
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage  
Exceeding the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published January 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
G14056EJ1V0DS00 (1st edition)  
The mark ★ shows major revised points.  
1999, 2000  
©
12345678

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与UPA1763G-A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UPA1764 NEC

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 		SWITCHING DUAL N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1764G NEC

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 		SWITCHING DUAL N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1764G RENESAS

获取价格

 		7A, 60V, 0.046ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1764G(0)-E1-A RENESAS

获取价格

 		TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,7A I(D),SO
UPA1764G(0)-E2-AT RENESAS

获取价格

 		Power MOSFETs for Automotive, SOP, /
UPA1764G(0)-E2-AY RENESAS

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 		Power MOSFETs for Automotive, SOP, /
UPA1764G(0)-E2-AZ RENESAS

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 		暂无描述
UPA1764G-A RENESAS

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