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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> UPA1790G
UPA1790G PDF预览

UPA1790G

更新时间： 2024-01-04 17:21:54
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 55K
描述
SWITCHING N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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UPA1790G 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.38雪崩能效等级（Eas）：0.02 mJ
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.34 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e6元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

UPA1790G 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
PA1790  
µ
SWITCHING  
N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
DESCRIPTION  
PACKAGE DRAWING (Unit : mm)  
This product is N-and P-Channel MOS Field Effect Transistor  
designed for motor driver applications.  
8
5
N-Channel  
1
2
; Source 1  
; Gate 1  
7,8 ; Drain 1  
FEATURES  
P-Channel  
3
4
; Source 2  
; Gate 2  
• Dual chip type  
• Low on-resistance  
5,6 ; Drain 2  
6.0 ±0.3  
1
4
DS(on)1  
DS(on)2  
DS(on)1  
DS(on)2  
GS  
D
N-Channel R  
= 0.12 Ω TYP. (V = 10 V, I = 0.5 A)  
4.4  
5.37 MAX.  
0.8  
GS  
D
R
P-Channel R  
R
= 0.19 Ω TYP. (V = 4 V, I = 0.5 A)  
GS  
D
= 0.45 Ω TYP. (V = –10 V, I = –0.35 A)  
GS  
D
= 0.74 Ω TYP. (V = –4 V, I = –0.35 A)  
0.5 ±0.2  
• Low input capacitance  
0.10  
1.27 0.78 MAX.  
iss  
N-Channel C = 180 pF TYP.  
+0.10  
–0.05  
0.40  
0.12 M  
iss  
P-Channel C = 230 pF TYP.  
• Built-in G-S protection diode  
• Small and surface mount package (Power SOP8)  
EQUIVARENT CIRCUIT  
ORDERING INFORMATION  
Drain  
Drain  
PART NUMBER  
PACKAGE  
Body  
Body  
µPA1790G  
Power SOP8  
Diode  
Diode  
Gate  
Gate  
Gate  
Gate  
Protection  
Diode  
Protection  
Diode  
Source  
Source  
N-Channel  
P-Channel  
Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.  
When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage  
exceeding the rated voltage may be applied to this device.  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published May 1999 NS CP(K)  
Printed in Japan  
G14320EJ1V0DS00 (1st edition)  
1999  
©
12345678

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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