UPA1793G

更新时间： 2024-01-26 12:39:39

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日电电子 - NEC		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET

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UPA1793G 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A
最大漏极电流 (ID)：	3 A	最大漏源导通电阻：	0.072 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1793G 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA1793

SWITCHING

N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The µPA1793 is N- and P-Channel MOS Field Effect Transistors

; Source 1

; Gate 1

designed for Motor Drive application.

N-Channel

P-Channel

7, 8; Drain 1

FEATURES

; Source 2

; Gate 2

• Low on-state resistance

5, 6; Drain 2

N-Channel R^DS(on)1= 69 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 1.5 A)

R^DS(on)2= 72 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 1.5 A)

R^DS(on)3= 107 mΩ MAX. (V^GS= 2.5 V, I^D= 1.0 A)

P-Channel R^DS(on)1= 115 mΩ MAX. (V^GS= –4.5 V, I^D= –1.5 A)

R^DS(on)2= 120 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –1.5 A)

R^DS(on)3= 190 mΩ MAX. (V^GS= –2.5 V, I^D= –1.0 A)

• Low input capacitance

6.0 ±0.3

4.4

5.37 Max.

0.8

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 Max.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

N-Channel C^iss= 160 pF TYP.

P-Channel C^iss= 370 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

EQUIVALENT CIRCUIT

ORDERING INFORMATION

Drain

PART NUMBER

PACKAGE

Body

Diode

Body

Diode

µPA1793G

Power SOP8

Gate

Protection

Diode

Protection

Diode

Source

N-Channel

P-Channel

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When

this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated

voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No. G16059EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published September 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

12 3 4 5 6 7...12

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