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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSSOP |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | ESD PROTECTED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.032 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1804GR-9JG-E1 | RENESAS |
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UPA1804GR-9JG-E1 |
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| UPA1804GR-9JG-E1-A | RENESAS |
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Nch Single Power Mosfet 30V 8.0A 23Mohm Tssop8, TSSOP, /Embossed Tape |
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| UPA1804GR-9JG-E1-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,8A I(D),TSSOP |
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| UPA1804GR-9JG-E2-A | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,8A I(D),TSSOP |
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| UPA1806 | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1806GR-9JG | NEC |
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N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1806GR-9JG-A | NEC |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| UPA1807 | NEC |
获取价格 |
N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING |
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| UPA1807GR-9JG | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 12A I(D) | SO |
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| UPA1807GR-9JG-E1 | RENESAS |
获取价格 |
UPA1807GR-9JG-E1 |
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