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UPA1792G-A

更新时间： 2024-02-24 09:38:03

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瑞萨 - RENESAS		ISM频段开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	96K
描述
6.8A, 30V, 0.042ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8

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UPA1792G-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5.8 A
最大漏极电流 (ID)：	6.8 A	最大漏源导通电阻：	0.042 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27.2 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1792G-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µPA1792

SWITCHING

N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

The µPA1792 is N- and P-channel MOS Field Effect

: Source 1

: Gate 1

Transistors designed for Motor Drive application of HDD and so

on.

N-channel

P-channel

7, 8: Drain 1

: Source 2

: Gate 2

5, 6: Drain 2

FEATURES

6.0 ±0.3

4.4

• Low on-state resistance

5.37 Max.

0.8

N-channel R^DS(on)1= 26 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 3.4 A)

R^DS(on)2= 36 mΩ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 3.4 A)

R^DS(on)3= 42 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 3.4 A)

P-channel R^DS(on)1= 36 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −2.9 A)

R^DS(on)2= 54 mΩ MAX. (V^GS= −4.5 V, I^D= −2.9 A)

R^DS(on)3= 65 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −2.9 A)

• Low input capacitance

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 Max.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

EQUIVALENT CIRCUIT

N-channel C^iss= 760 pF TYP.

P-channel C^iss= 900 pF TYP.

N-channel

P-channel

• Built-in G-S protection diode

Drain

• Small and surface mount package (Power SOP8)

Body

Diode

Gate

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

Protection

Diode

Protection

Diode

µPA1792G

Power SOP8

Source

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G14557EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published April 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4 5 6 7...11

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