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UPA1790G-A

更新时间： 2024-01-20 14:47:34

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瑞萨 - RENESAS		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	244K
描述
1A, 60V, 0.34ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8

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UPA1790G-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.38	雪崩能效等级（Eas）：	0.02 mJ
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	1 A	最大漏源导通电阻：	0.34 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	4 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

To our customers,

Old Company Name in Catalogs and Other Documents

On April 1^st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology

Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both

companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Renesas Electronics website: http://www.renesas.com

April 1^st, 2010

Renesas Electronics Corporation

Issued by: Renesas Electronics Corporation (http://www.renesas.com)

Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1792	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1792G	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1792G-A	RENESAS	获取价格	6.8A, 30V, 0.042ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1793	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA1793G	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA1793G-A	NEC	获取价格	暂无描述
UPA1800	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
UPA1800GR-9JG	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING
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UPA1801GR-9JG	NEC	获取价格	N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING