UPA1772

更新时间： 2024-01-19 11:56:04

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描述
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

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UPA1772 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	SOT
包装说明：	POWER, SOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8 A
最大漏极电流 (ID)：	8 A	最大漏源导通电阻：	0.034 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e6	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

UPA1772 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

µ PA1772

SWITCHING

P-CHANNEL POWER MOS FET

PACKAGE DRAWING (Unit : mm)

DESCRIPTION

The µPA1772 is Dual P-Channel MOS Field Effect

Transistor designed for power management applications

of portable machines.

: Source 1

: Gate 1

7, 8 : Drain 1

: Source 2

: Gate 2

FEATURES

• Dual chip type

5, 6 : Drain 2

• Low on-state resistance

6.0 ±0.3

4.4

R^DS(on)1= 20.0 mΩ MAX. (V^GS= −10 V, I^D= −4 A)

R^DS(on)2= 29.5 mΩ MAX. (V^GS= −4.5 V, I^D= −4 A)

R^DS(on)3= 34.0 mΩ MAX. (V^GS= −4.0 V, I^D= −4 A)

• Low C^iss: C^iss= 1500 pF TYP. (V^DS= −10 V, V^GS= 0 V)

• Built-in G-S protection diode

5.37 MAX.

0.8

0.5 ±0.2

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.10

1.27 0.78 MAX.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

µPA1772G

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC)

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

−30

EQUIVALENT CIRCUIT

(1/2 circuit)

m20

Drain Current (pulse) ^Note1

m32

Drain

Total Power Dissipation (2 unit) ^Note2

Total Power Dissipation (1 unit) ^Note2

Channel Temperature

2.0

°C

Body

Diode

P^T

1.7

Gate

T^ch

150

Gate

Storage Temperature

T^stg

–55 to + 150

Protection

Diode

Source

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

2. T^A= 25°C, Mounted on ceramic substrate of 2000 mm²x 2.2 mm

Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device..

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. G15830EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published January 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

2001, 2003

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1772G	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1772G-A	RENESAS	获取价格	8A, 30V, 0.034ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1774	NEC	获取价格	SWITCHING DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1774G	NEC	获取价格	SWITCHING DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
UPA1774G-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
UPA1790	NEC	获取价格	SWITCHING N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1790G	NEC	获取价格	SWITCHING N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1790G-A	RENESAS	获取价格	1A, 60V, 0.34ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1790G-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 0.34ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
UPA1792	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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