UPA1774G-A

更新时间： 2024-01-06 07:11:47

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日电电子 - NEC		开关
页数	文件大小	规格书
8页	80K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.8A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, POWER, SOP-8

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UPA1774G-A 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.2	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	2.8 A
最大漏源导通电阻：	0.33 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1774G-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1774

SWITCHING

DUAL P-CHANNEL POWER MOS FET

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The µ PA1774 is Dual P-channel MOS Field Effect

Transistor.

: Source 1

: Gate 1

FEATURES

7, 8 : Drain 1

: Source 2

: Gate 2

• Dual chip type

• Low on-state resistance

5, 6 : Drain 2

R^DS(on)1= 250 mΩ MAX. (V^GS= –10 V, I^D= –2.0 A)

R^DS(on)2= 300 mΩ MAX. (V^GS= –4.5 V, I^D= –2.0 A)

R^DS(on)3= 330 mΩ MAX. (V^GS= –4.0 V, I^D= –2.0 A)

• Low input capacitance

6.0 ±0.3

4.4

5.37 MAX.

0.8

C^iss= 420 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

0.5 ±0.2

0.10

1.27 0.78 MAX.

+0.10

–0.05

0.40

0.12 M

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

µ PA1774G

Power SOP8

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (1 unit)^Note2

Total Power Dissipation (2 unit)^Note2

Channel Temperature

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

–60

m20

EQUIVALENT CIRCUIT

(1/2 circuit)

m2.8

m18

Drain

0.6

°C

P^T

0.8

Body

Diode

T^ch

150

Gate

Storage Temperature

T^stg

–55 to 150

–2.8

Single Avalanche Current ^Note3

Single Avalanche Energy ^Note3

I^AS

Gate

Protection

Diode

E^AS

0.78

Source

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Mounted on Glass Epoxy Board of 1600 mm²x 1.6 mm. Drain pad size: 264 mm²x 35 µm, T^A= 25°C

3. Starting T^ch= 25°C, V^DD= –30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= –20→0 V

Remark

The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD.

When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding

the rated voltage may be applied to this device.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

G15380EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published June 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

2001

12 3 4 5 6 7 8

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与UPA1774G-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1790	NEC	获取价格	SWITCHING N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1790G	NEC	获取价格	SWITCHING N-AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1790G-A	RENESAS	获取价格	1A, 60V, 0.34ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1790G-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 60V, 0.34ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
UPA1792	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1792G	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
UPA1792G-A	RENESAS	获取价格	6.8A, 30V, 0.042ohm, 2 CHANNEL,N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1793	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA1793G	NEC	获取价格	SWITCHING N- AND P-CHANNEL POWER MOS FET
UPA1793G-A	NEC	获取价格	暂无描述

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