UPA1770G

更新时间： 2024-01-19 11:40:53

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日电电子 - NEC		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
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SWITCHING DUAL P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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UPA1770G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	POWER, SOP-8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6 A	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	0.059 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e6
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	24 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn98Bi2)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

UPA1770G 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

PA1770

SWITCHING

DUAL P-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

The µPA1770 is a P-channel MOS Field Effect

Transistor designed for power management

applications of portable machines.

PART NUMBER

PACKAGE

µPA1770G

Power SOP8

FEATURES

• Dual chip type

• Low on-resistance

DS(on)1

DS(on)2

DS(on)3

= 37 mΩ MAX. (V = –4.5 V, I = –3.0 A)

= 39 mΩ MAX. (V = –4.0 V, I = –3.0 A)

= 59 mΩ MAX. (V = –2.5 V, I = –3.0 A)

• Low input capacitance

iss

= 1300 pF TYP.

• Built-in G-S protection diode

• Small and surface mount package (Power SOP8)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C, All terminals are connected.)

DSS

Drain to Source Voltage

–20

GSS

Gate to Source Voltage

D(DC)

6.0

Drain Current (DC)

Drain Current (pulse) ^Note1

Total Power Dissipation (1 unit) ^Note2

Total Power Dissipation (2 unit) ^Note2

Total Power Dissipation (1 unit) ^Note3

Total Power Dissipation (2 unit) ^Note3

Channel Temperature

D(pulse)

0.40

0.75

1.7

°C

★

2.0

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150 °C

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Mounted on FR4 Board of 1600 mm²x 1.6 mm, Drain Pad size : 4.5 mm²x 35 µm, T^A= 25°C

3. Mounted on ceramic substrate of 1200 mm²x 2.2 mm, T^A= 25°C

★

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published November 1999 NS CP(K)

Printed in Japan

G14055EJ1V0DS00 (1st edition)

The mark ★ shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UPA1770G-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.059ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Meta
UPA1770G-E1	RENESAS	获取价格	UPA1770G-E1
UPA1770G-E1-AT	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, SOP, /
UPA1770G-E2-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),SO
UPA1772	NEC	获取价格	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET
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UPA1772G-A	RENESAS	获取价格	8A, 30V, 0.034ohm, 2 CHANNEL, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, POWER, SOP-8
UPA1774	NEC	获取价格	SWITCHING DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
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