是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SOP-8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.72 | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A |
最大漏极电流 (ID): | 10 A | 最大漏源导通电阻: | 0.022 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e6 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 40 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Bismuth (Sn98Bi2) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
UPA1731G-A | NEC | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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UPA1731G-E2-A | RENESAS | N Channel Power MOSFET, SOP, /Embossed Tape |
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UPA1733G | NEC | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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UPA1740 | ETC | UPA1740TP Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
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UPA1740TP | NEC | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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UPA1740TP-AZ | NEC | 暂无描述 |
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