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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.8 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.022 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| UPA1731G-A | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| UPA1731G-E2-A | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOSFET, SOP, /Embossed Tape |
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| UPA1733G | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| UPA1740 | ETC |
获取价格 |
UPA1740TP Data Sheet | Data Sheet[05/2002] |
|
| UPA1740TP | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| UPA1740TP-AZ | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
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| UPA1741 | ETC |
获取价格 |
UPA1741TP Data Sheet | Data Sheet[04/2003] |
|
| UPA1741TP | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| UPA1741TP-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| UPA1742 | ETC |
获取价格 |
UPA1742TP Data Sheet | Data Sheet[04/2003] |
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