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UNRF1AH

更新时间： 2024-01-10 16:49:10

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	455K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINI, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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UNRF1AH 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO 4.54
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	80 MHz
Base Number Matches：	1

UNRF1AH 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNRF1AH

Silicon PNP epitaxial planar type

For digital circuits

Unit: mm

 Features



Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for

Ultraminiature leadless package 0.6 mm

1.0 mm (height 0.39 mm)

+0.01

0.39

1.00±0.05

−0.03

 Absolute Maximum Ratings T_a= 25

0.25±0.05

^0.25±0.051

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_C

Rating

−

Unit

−

0.65±0.01

0.05±0.03

−

Total power dissipation

P_T

100

Junction temperature

T_j

125

1: Base

2: Emitter

Storage temperature

stg

–55 to +125

3: Collector

ML3-N2 Package

Marking Symbol: 4L

Internal Connection

R₁

2.2 kΩ

R₂

10 kΩ



Electrical Characteristics

_a= 25

Parameter

Symbol

Conditions

Min

−

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

V_CBOI_C

−

10 µA, I_E= 0

V_CEOI_C

−

2 mA, I_B= 0

I_CBO

I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CB

−

50 V, I_E= 0

V_CE

−

50 V, I_B= 0

V_EB

−

6 V, I_C= 0

−

0.1

−

0.5

−

1.0

µA

V_CE

−

10 V, I_C

−

5 mA



V_CE(sat)I_C

−

10 mA, I_B

−

0.3 mA

−

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC

−

5 V, V_B

−

0.5 V, R_L= 1 kΩ

V_CC

−

5 V, V_B

−

2.5 V, R_L= 1 kΩ

−

4.9

Output voltage low-level

−

0.2

+30%

0.27

Input resistance

2.2

0.22

kΩ



−

30%

0.17

Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

Transition frequency

V_CB

−

10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2005

SJH00117AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNRF1AL	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.
UNRF1AM	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRF1AN	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRF1AT	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRF2A0	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2A1	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2A2	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X
UNRF2A3	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRF2A4	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
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