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UNRF2AF PDF预览

UNRF2AF

更新时间： 2024-09-24 21:20:47
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 439K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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UNRF2AF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.83其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.47
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

UNRF2AF 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors with built-in Resistor  
UNRF2AF  
Silicon NPN epitaxial planar type  
For digital circuits  
Unit: mm  
Features  
Optimum for high-density mounting and downsizing of the equipment for  
Ultraminiature leadless package 0.6 mm
×
1.0 mm (height 0.39 mm)  
3
2
1
+0.01  
0.39  
1.00±0.05  
−0.03  
Absolute Maximum Ratings T
a
= 25
°
C  
0.25±0.05  
0.25±0.051  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
Unit  
V
50  
5
V
2
3
0.65±0.01  
0.05±0.03  
mA  
mW  
°
C  
Total power dissipation  
P
100  
Junction temperature  
Tj  
125  
1: Base  
2: Emitter  
Storage temperature  
T
stg  
–55 t+125  
°
C  
3: Collector  
ML3-N2 Package  
Marking Symbol: 5K  
Internal Connection  
R1  
4.7 kΩ  
B
C
E
R2  
10 kΩ  
Electrical Chstics
T
a
= 25
°
C
±
3
°
C  
Symbol  
Conditions  
Min  
50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltagr open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO I
C
= 10 µA, I
E
= 0  
VCEO IC = 2 mA, IB = 0  
50  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = 50 V, I
E
= 0  
VCE = 50 V, IB = 0  
VEB = 6 V, I
C
= 0  
0.1  
0.5  
1.0  
µA  
µA  
mA  
VCE = 10 V, I
C
= 5 mA  
30  
V
VCE(sat) IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
VOH  
VOL  
R1  
VCC = 5 V, VB = 0.5 V, R
L
= 1 kΩ  
4.9  
V
Output voltage low-level  
VCC = 5 V, VB = 2.5 V, R
L
= 1 kΩ  
0.2  
+30%  
0.57  
V
Input resistance  
4.7  
0.47  
150  
kΩ  
−
30%  
0.37  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
Transition frequency  
VCB = 10 V, I
E
−
2 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2005  
SJH00120AED  
1
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
UNRF2AK PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X
UNRF2AL PANASONIC

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 		Transistors with built-in Resistor
UNRF2AM ETC

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 		Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRF2AN PANASONIC

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 		Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2AT PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 0.
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