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UNRF2A2

更新时间： 2024-01-01 03:08:22

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	80K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X 1 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRAMINIATURE, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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UNRF2A2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.83	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNRF2A2 数据手册

Transistors with built-in Resistor

UNRF2A2

Silicon NPN epitaxial planar transistor

Unit: mm

For digital circuits

■ Features

• Suitable for high-density mounting and downsizing of the equip-

ment for Ultraminiature leadless package

0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm)

+0.01

0.39

1.00 0.0ꢀ

−0.03

0.2ꢀ 0.0ꢀ

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

0.6ꢀ 0.01

0.0ꢀ 0.03

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

1: Base

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

2: Emitter

3: Collector

ML3-N2 Package

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

125

Marking Symbol: 4Y

Internal Connection

T_stg

−55 to +125

°C

22 kΩ

R₁

R₂

22 kΩ

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high-level

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.1

0.5

0.2

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

Output voltage low-level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

1.0

150

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2004

SJH00094BED

12 3

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