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UNRL214

更新时间: 2024-01-26 07:25:05
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其他 - ETC /
页数 文件大小 规格书
7页 236K
描述
複合デバイス - 抵抗内蔵型トランジスタ

UNRL214 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CHIP CARRIER, R-PBCC-N4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.84
其他特性:BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 4.7最大集电极电流 (IC):0.1 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):80JESD-30 代码:R-PBCC-N4
元件数量:1端子数量:4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:CHIP CARRIER极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):0.15 W认证状态:Not Qualified
子类别:BIP General Purpose Small Signal表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):150 MHzBase Number Matches:1

UNRL214 数据手册

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抵抗内蔵トランジスタ  
UNRL210/211/213/214/215/216  
シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形  
Unit: mm  
デジタル回路用  
0.020 0.010  
3
2
1
I 特ꢀ長  
4
超小形リードレスパッケージのため機器の小型化および  
0.60 0.0ꢀ  
1.00 0.0ꢀ  
高密度実装に最適  
リードタイプと比較し基板実装面  
1/10 (ミニ3端子比)  
4
1
I 品  
種別抵抗値  
形名表示記号  
(R1)  
(R2)  
3
2
0.30 0.03  
0.0ꢀ 0.03  
UNRL210  
UNRL211  
UNRL213  
UNRL214  
UNRL215  
UNRL216  
D
E
F
G
H
N
47 kΩ  
10 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
4.7 kΩ  
0.60  
10 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
1 : Base  
2 : Emitter  
3 : Collector  
4 : Collector  
ML4-N1 Package  
I 絶対最大定格 Ta = 25°C  
内部接続図  
項目  
コレクース電圧  
コレクミッタ電圧  
コレクタ電流  
記号  
VCBO  
VCEO  
IC  
定格  
50  
単位  
V
50  
V
2
3
R2  
100  
150  
mA  
mW  
°C  
R1  
*
全損失  
PT  
4
1
合部 温度  
Tj  
125  
保存温度  
Tstg  
55 ∼ +125  
°C  
)  
: プリント基板のコレクタ部 分の銅箔面  
20.0 mm2 以上1.6 mm  
*
I 電気的特性 Ta = 25°C 3°C  
項目  
記号  
条件  
最小 標準  
最大  
0.1  
単位  
コレクタ遮断電流  
ICBO  
ICEO  
IEBO  
VCB = 50 V, IE = 0  
VCB = 50 V, IE = 0  
VEB = 6 V, IC = 0  
µA  
0.5  
エミッタ UNRL211  
遮断電流 UNRL214  
UNRL213  
0.5  
mA  
0.2  
0.1  
UNRL210/215/216  
コレクース電圧  
コレクミッタ電圧  
0.01  
VCBO  
VCEO  
hFE  
IC = 10 µA, IE = 0  
IC = 2 mA, IB = 0  
50  
50  
V
V
流電流 UNRL211  
増幅率 UNRL213/214  
UNRL210/215/216  
VCE = 10 V, IC = 5 mA  
35  
80  
160  
460  
コレクミッタ飽和電圧  
VCE(sat)  
IC = 10 mA, IB = 0.3 mA  
0.25  
V
発行年月 : 20017月  
SJH00045AJD  
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