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UNRL214

更新时间： 2024-11-25 23:39:35

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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNRL214 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNRL210/211/213/214/215/216

シリコンNPNエピタキシャルプレーナ形

Unit: mm

デジタル回路用

0.020 0.010

I 特ꢀ長

•

超小形リードレスパッケージのため機器の小型化および

0.60 0.0ꢀ

1.00 0.0ꢀ

高密度実装に最適

• リードタイプと比較し基板実装面

積1/10 (ミニ型3端子比)

I 品

種別抵抗値

形名表示記号

(R₁)

(R₂)

0.30 0.03

0.0ꢀ 0.03

• UNRL210

• UNRL211

• UNRL213

• UNRL214

• UNRL215

• UNRL216

47 kΩ

10 kΩ

47 kΩ

10 kΩ

4.7 kΩ



0.60

10 kΩ

47 kΩ



1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

4 : Collector



ML4-N1 Package

I 絶対最大定格 T_a= 25°C

内部接続図

項目

コレクタ・ベース電圧

コレクタ・エミッタ電圧

コレクタ電流

記号

V_CBO

V_CEO

I_C

定格

単位

R₂

100

150

°C

R₁

全損失

P_T

接

合部温度

T_j

125

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

注)

: プリント基板のコレクタ部分の銅箔面

積20.0 mm²以上，厚み1.6 mm

I 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

条件

最小標準

最大

0.1

単位

コレクタ遮断電流

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

µA

0.5

エミッタ UNRL211

遮断電流 UNRL214

UNRL213

0.5

0.2

0.1

UNRL210/215/216

コレクタ・ベース電圧

コレクタ・エミッタ電圧

0.01

V_CBO

V_CEO

h_FE

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

直

流電流 UNRL211

増幅率 UNRL213/214

UNRL210/215/216

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

160

460

コレクタ・エミッタ飽和電圧

V_CE(sat)

I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

発行年月 : 2001年7月

SJH00045AJD

12 3 4 5 6 7

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