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UNRL110

更新时间： 2024-11-25 22:41:43
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松下 - PANASONIC /
页数 文件大小 规格书
6页 120K
描述
Silicon PNP epitaxial planer type

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UNRL110 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-PBCC-N4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：160
JESD-30 代码：R-PBCC-N4元件数量：1
端子数量：4封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：CHIP CARRIER
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.15 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz

UNRL110 数据手册

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Transistors with built-in Resistor  
UNRL110/111/113/114/115  
Silicon PNP epitaxial planer type  
Unit: mm  
For digital circuit  
0.020 0.010  
3
2
1
I Features  
Mold leadless type package, allowing downsizing and thinning of  
the equipment and automatic insertion through the tape packing.  
The PCB mounting area is 1/10 of that of lead type package (3-pin  
MINI-type package).  
•
4
0.60 0.0ꢀ  
1.00 0.0ꢀ  
•
4
3
1
I Resistance by Part Number  
2
0.30 0.03  
0.0ꢀ 0.03  
Marking Symbol (R1)  
(R2)  
10 kΩ  
47 kΩ  
47 kΩ  
0.60  
• UNRL110  
• UNRL111  
• UNRL113  
• UNRL114  
• UNRL115  
P
A
B
R
M
47 kΩ  
10 kΩ  
47 kΩ  
10 kΩ  
10 kΩ  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
4: Collector  
ML4-N1 Package  
I Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Parameter  
Collector to base voltage  
Collector to emitter voltage  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
−50  
Unit  
V
Internal Connection  
−50  
V
3
4
2
R2  
−100  
mA  
mW  
°C  
R1  
Total power dissipation *  
Junction temperature  
Storage temperature  
PT  
150  
1
Tj  
125  
Tstg  
−55 to +125  
°C  
Note) : Printed circuit board copper foil for collector portion  
*
area: 20.0 mm2 or more, thickness: 1.6 mm  
I Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
ICBO  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
− 0.1  
− 0.5  
− 0.5  
− 0.2  
− 0.1  
− 0.01  
Unit  
Collector cutoff current  
VCB = −50 V, IE = 0  
VCE = −50 V, IB = 0  
VEB = −6 V, IC = 0  
µA  
ICEO  
Emitter cutoff UNRL111  
IEBO  
mA  
current  
UNRL114  
UNRL113  
UNRL110/115  
Collector to base voltage  
VCBO  
VCEO  
hFE  
IC = −10 µA, IE = 0  
IC = −2 mA, IB = 0  
−50  
−50  
35  
V
V
Collector to emitter voltage  
Forward current UNRL111  
transfer ratio  
VCE = −10 V, IC = −5 mA  
UNRL113/114  
80  
UNRL110/115  
160  
460  
Collector to emitter saturation voltage  
VCE(sat)  
IC = −10 mA, IB = − 0.3 mA  
− 0.25  
V
Publication date: July 2001  
SJH00044AED  
1
123456

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