UNRF2AV

更新时间： 2024-11-26 13:15:11

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	204K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, LEADLESS, ULTRA MINIATURE, ML3-N2, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNRF2AV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CHIP CARRIER, R-XBCC-N3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.08 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	6	JESD-30 代码：	R-XBCC-N3
JESD-609代码：	e6	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
Base Number Matches：	1

UNRF2AV 数据手册

This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).

Transistors with built-in Resistor

UNRF2AL

Silicon NPN epitaxial planar type

Unit: mm

For digital circuits

■ Features

• Suitable for high-density mounting and douwsizing of the equip-

ment for ultraminiature leadless package

• Package: 0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm)

+0.01

0.39

1.00 0.0ꢀ

−0.03

0.2ꢀ 0.0ꢀ

■ Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

Collector-emitter voltage (Base open) V_CEO

0.6ꢀ 0.01

0.0ꢀ 0.03

Collector current

I_C

P_T

T_j

°C

1: Base

2: Emitter

3: Collector

Total power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

100

125

ML3-N2 Package

T_stg

−55 to +125

°C

Marking Symbol: 1C

Internal Connection

R₁(4.7 kΩ)

R₂

(4.7 kΩ)

■ Electrical Characteristics T_a= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CBO

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Collector-emitter cutoff current (Base open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

Collector-emitter saturation voltage

Output voltage high level

I_C= 10 µA, I_E= 0

I_C= 2 mA, I_B= 0

V_CB= 50 V, I_E= 0

V_CE= 50 V, I_B= 0

V_EB= 6 V, I_C= 0

V_CE= 10 V, I_C= 5 mA

0.1

0.5

2.0

µA



I_CEO

I_EBO

h_FE

V_CE(sat)I_C= 10 mA, I_B= 0.3 mA

0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= 5 V, V_B= 0.5 V, R_L= 1 kΩ

4.9

Output voltage low level

V_CC= 5 V, V_B= 2.5 V, R_L= 1 kΩ

0.2

+30%

1.2

Input resistance

−30%

4.7

0.1

150

kΩ



Resistance ratio

R₁/ R₂

f_T

0.8

Transition frequency

V_CB= 10 V, I_E= −2 mA, f = 200 MHz

MHz

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: May 2005

SJH00104BED

12 3

中文翻译

下载PDF

与UNRF2AV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNRL110	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL111	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL113	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL114	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL115	PANASONIC	获取价格	Silicon PNP epitaxial planer type
UNRL210	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRL211	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRL213	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRL214	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRL215	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

与UNRF2AV相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

44
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

33
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

61
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

58

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNRF2AV

UNRF2AV 技术参数

UNRF2AV 数据手册

与UNRF2AV相关器件

与UNRF2AV相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

UNRF2AV

UNRF2AV 技术参数

UNRF2AV 数据手册

与UNRF2AV相关器件

与UNRF2AV相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？