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UNRF1AL

更新时间： 2024-11-26 19:41:51
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 640K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, 1 X 0.60 MM, 0.39 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, ULTRA MINI, LEADLESS, ML3-N2, 3 PIN

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UNRF1AL 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CHIP CARRIER, R-XBCC-N3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：BUILT-IN BAIS RESISTOR RATIO 1
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.08 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-XBCC-N3
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：80 MHz
Base Number Matches：1

UNRF1AL 数据手册

 浏览型号UNRF1AL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号UNRF1AL的Datasheet PDF文件第3页 
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
Transistors with built-in Resistor  
UNRF1AL  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For digital circuits  
Unit : mm  
Features  
Suitable for high-density mounting and downsizing of the equipment  
for Ultraminiature leadless package  
3
2
1
0.6 mm × 1.0 mm (height 0.39 mm)  
+0.01  
−0.03  
0.39  
1.00±0.05  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
0.25±0.05  
0.25±0.051  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
IC  
Rating  
–50  
Unit  
V
2
3
–
V
0.65±0.01  
0.05±0.03  
mA  
mW  
°C  
Total power dissipation  
P
100  
Junction temperature  
Tj  
125  
1 : Base  
2 : Emitter  
Storage temperature  
T
stg  
–55 t+125  
°C  
3 : Collecter  
ML3-N2 Package  
Marking Symbol: 4P  
Internal Connection  
R1  
C
E
B
R2  
Electrical Chstics Ta = 25°C±3°C  
Symbol  
Conditions  
Min  
–50  
–50  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltagr open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
Collector-emitter cutoff current (Base open)  
Emitter-base cutoff current (Collector open)  
Forward current transfer ratio  
Collector-emitter saturation voltage  
Output voltage high-level  
VCBO IC = –10 µA, IE = 0  
VCEO IC = –2 mA, IB = 0  
V
ICBO  
ICEO  
IEBO  
hFE  
VCB = –50 V, IE = 0  
VCE = –50 V, IB = 0  
VEB = –6 V, IC = 0  
– 0.1  
– 0.5  
–2.0  
µA  
µA  
mA  
VCE = –10 V, IC = –5 mA  
20  
V
VCE(sat) IC = –10 mA, IB = – 0.3 mA  
– 0.25  
VOH  
VOL  
R1  
VCC = –5 V, VB = – 0.5 V, RL = 1 kΩ  
VCC = –5 V, VB = –2.5 V, RL = 1 kΩ  
–4.9  
V
Output voltage low-level  
– 0.2  
+30%  
1.2  
V
Input resistance  
—30%  
0.8  
4.7  
1.0  
80  
kΩ  
Resistance ratio  
R1 / R2  
fT  
Transition frequency  
VCB = –10 V, IE = 1 mA, f = 200 MHz  
MHz  
Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
Publication date: November 2005  
SJH00116AED  
1
123

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