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UNRF1AT

更新时间： 2024-09-23 23:39:35

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其他 - ETC		晶体晶体管开关
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描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

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UNRF1AT 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNRF1AT

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

デジタル回路用

■ 特ꢀ長

•

超小形リードレスパッケージのため機器の小形化および高

密度実装に最適

+0.01

0.39

1.00 0.0ꢀ

−0.03

パッケージサイズ(0.6 mm × 1.0 mm × 高さ0.39 mm)

0.2ꢀ 0.0ꢀ

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

0.6ꢀ 0.01

0.0ꢀ 0.03

項目

記号

定格

−50

−80

100

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

コレクタ電流

全許容損失

I_C

P_T

ML3-N2 Package

接

合温度

T_j

125

°C

形名表示記号 : 1D

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

内部接続図

R₁(22 kΩ)

R₂

(47 kΩ)

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

直流電流増幅率

h_FE

400



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

0.57

−30%

0.47

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.37

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

発行年月 : 2003年4月

SJH00087AJD

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