Datasheet > UNRF1AT

UNRF1AT

更新时间： 2024-11-25 23:39:35

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管开关
页数	文件大小	规格书
3页	183K
描述
複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

UNRF1AT 数据手册

抵抗内蔵トランジスタ

UNRF1AT

シリコンPNPエピタキシャルプレーナ形

Unit : mm

デジタル回路用

■ 特ꢀ長

•

超小形リードレスパッケージのため機器の小形化および高

密度実装に最適

+0.01

0.39

1.00 0.0ꢀ

−0.03

パッケージサイズ(0.6 mm × 1.0 mm × 高さ0.39 mm)

0.2ꢀ 0.0ꢀ

■ 絶対最大定格 T_a= 25°C

0.6ꢀ 0.01

0.0ꢀ 0.03

項目

記号

定格

−50

−80

100

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時) V_CBO

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

1 : Base

2 : Emitter

3 : Collector

コレクタ電流

全許容損失

I_C

P_T

ML3-N2 Package

接

合温度

T_j

125

°C

形名表示記号 : 1D

保存温度

T_stg

−55 ∼ +125

°C

内部接続図

R₁(22 kΩ)

R₂

(47 kΩ)

■ 電気的特性 T_a= 25°C 3°C

項目

記号

V_CBO

条件

最小標準最大

単位

コレクタ・ベース間電圧(E 開放時)

I_C= −10 µA, I_E= 0

I_C= −2 mA, I_B= 0

V_CB= −50 V, I_E= 0

V_CE= −50 V, I_B= 0

V_EB= −6 V, I_C= 0

V_CE= −10 V, I_C= −5 mA

−50

コレクタ・エミッタ間電圧(B開放時) V_CEO

コレクタ・ベース間遮断電流(E 開放時) I_CBO

−50

− 0.1

− 0.5

− 0.2

µA

コレクタ・エミッタ間遮断電流(B開放時)

I_CEO

エミッタ・ベース間遮断電流(C 開放時) I_EBO

直流電流増幅率

h_FE

400



コレクタ・エミッタ間飽和電圧

出力電圧ハイレベル

出力電圧ローレベル

入力抵抗

V_CE(sat)I_C= −10 mA, I_B= − 0.3 mA

− 0.25

V_OH

V_OL

R₁

V_CC= −5 V, V_B= − 0.5 V, R_L= 1 kΩ

−4.9

V_CC= −5 V, V_B= −2.5 V, R_L= 1 kΩ

− 0.2

+30%

0.57

−30%

0.47

kΩ



抵抗比率

R₁/ R₂

f_T

0.37

トランジション周波数

V_CB= −10 V, I_E= 1 mA, f = 200 MHz

MHz

注) 測定方法は，日本工業規格 JIS C 7030 トランジスタ測定方法によります。

発行年月 : 2003年4月

SJH00087AJD

12 3

中文翻译

下载PDF

与UNRF1AT相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
UNRF2A0	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2A1	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2A2	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X
UNRF2A3	ETC	获取价格	複合デバイス－抵抗内蔵型トランジスタ
UNRF2A4	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRF2A5	ETC	获取价格	Composite Device - Transistors with built-in Resistor
UNRF2A6	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN Epitaxial Planar Transistor For Digital Circuits
UNRF2A7	PANASONIC	获取价格	Silicon NPN epitaxial planar transistor
UNRF2A8	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60 X
UNRF2AF	PANASONIC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.08A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, 0.60X