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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTB6C95N10KOF | ETC |
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THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|FULLY CNTLD|1KV V(RRM)|95A I(T) |
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| TTB6C95N12KOF | ETC |
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THYRISTOR MODULE|3-PH FULL-WAVE|FULLY CNTLD|1.2KV V(RRM)|95A I(T) |
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| TTB6C95N14LOF | INFINEON |
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Trigger Device |
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| TTB6C95N16 | EUPEC |
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Phase Control Thyristor Module |
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| TTB6C95N16LOF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 75A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 6 Element, ISOPACK- |
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| TTB6C95N18LOF | INFINEON |
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Trigger Device |
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| TTB75N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB80N04AT | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB85N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB85N08AA | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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