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TTB001(TE24L,Q)

更新时间： 2024-11-18 21:19:55

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
5页	197K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),SMT

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TTB001(TE24L,Q) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.61	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	100
最高工作温度：	175 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	36 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

TTB001(TE24L,Q) 数据手册

TTB001

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Diffused Type

TTB001

○Audio Frequency Power Amplifier Application

Unit: mm

•

Low collector saturation voltage : V

= −1.7 V (max)

CE (sat)

High power dissipation

: P = 36 W (Tc = 25°C)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

-60

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

-7

-3

Collector current (Note1)

1. Base

2. N.C.

3. Emitter

Pulse

-6

Base current

-0.5

4. Collector (heat sink)

Collector power dissipation

Junction temperature (Note 2)

Tc = 25°C

°C

175

-55 to 175

JEDEC

JEITA

⎯

stg

Storage temperature range (Note 2)

TOSHIBA

2-9F1D

Note 1: Ensure that the junction temperature does not exceed 175°C

during use of the device.

Weight: 0.74 g (typ.)

Note 2: Junction temperature is guaranteed up to 175°C based on AEC

Q101.

Note 3: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2012-03-16

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTB002	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, ROHS COMPLIANT, 2-7J1A, 3 PIN, BIP Genera
TTB100D	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-15
TTB100S	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-214AB
TTB100T	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|180V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|TO-220AC
TTB1020B	TOSHIBA	获取价格	PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS
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