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| 生命周期： | Active | 包装说明： | 2-7J1A, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.74 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 3 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 60 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 20 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 9 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTB100D | ETC |
获取价格 |
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-15 |
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| TTB100S | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-214AB |
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| TTB100T | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC |
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| TTB1020B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS |
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| TTB1020B,S4X(S | TOSHIBA |
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TTB1020B,S4X(S |
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| TTB105N06A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB105N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB1067B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -80 V, -2 A, TO-126N |
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| TTB115N08A | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB115N08AA | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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