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TTB105N08A

更新时间： 2024-11-06 17:01:15

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
8页	750K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

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TTB105N08A 数据手册

TTB105N08A,TTP105N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

Product Summary

General Description

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

VDS

85V

I_D(at V_GS=10V)

105A

 Low Gate Charge

 Optimized for fast-switching Applications

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

< 8.5mΩ

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-263

TO-220

Device

Package

Form

Tape & Reel

Tube

Marking

105N08A

TTB105N08A

TTP105N08A

TO-263

TO-220

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±20

105

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current ^B

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

315

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

331

T_C= 25ºC

195

Power Dissipation

P_D

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_SGT

-55 to 175

ºC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Steady-State

R_thJC

R_thJA

0.77

100

ºC /W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

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