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TTB135N68A

更新时间: 2024-11-06 17:01:47
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP
页数 文件大小 规格书
9页 696K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度,因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。 同时由

TTB135N68A 数据手册

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TTB135N68A,TTP135N68A  
Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.  
68V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)  
General Description  
Product Summary  
Trench Power technology  
Low RDS(ON)  
VDS  
68V  
ID (at VGS =10V)  
135A  
Low Gate Charge  
RDS(ON) (at VGS =10V)  
< 5.0mΩ  
Optimized for fast-switching applications  
Applications  
100% UIS Tested  
Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters  
Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial  
TO-263  
TO-220  
Part Number  
Package Type  
Form  
Marking  
TTB135N68A  
TTP135N68A  
TO-263  
TO-220  
Tape&Reel  
Tube  
135N68A  
135N68A  
Absolute Maximum Ratings (TA =25ºC unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
68  
±20  
105  
105  
V
V
TC =25ºC  
Continuous Drain Current  
ID  
A
TC =100ºC  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IAS  
405  
44  
A
A
A
Avalanche Current  
A
Single Pulse Avalanche Energy  
L =0.3mH  
EAS  
290  
mJ  
160  
80  
W
W
TC =25ºC  
C
Power Dissipation  
PD  
TC =100ºC  
Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to 175  
ºC  
Thermal Characteristics  
Parameter  
Symbol  
Maximum  
Units  
Maximum Junction-to-Case  
Steady-State  
Steady-State  
RƟJC  
0.95  
ºC /W  
Maximum Junction-to-Ambient  
RƟJA  
100  
V1.0  
www.tsinghuaicwx.com  
1

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