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| TTB200S | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|285V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-214AB |
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| TTB200T | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|285V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC |
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| TTB235D | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|345V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-15 |
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| TTB235S | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|345V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-214AB |
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| TTB235T | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|345V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC |
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| TTB28F200BV-B60 | INTEL |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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| TTB28F200BV-B80 | INTEL |
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2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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| TTB28F200BV-T60 | INTEL |
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| TTB28F200BV-T80 | INTEL |
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| TTB28F200CV-B60 | INTEL |
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英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
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三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
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