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TTB1020B

更新时间： 2024-11-06 14:56:55

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东芝 - TOSHIBA		/
页数	文件大小	规格书
7页	207K
描述
PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS

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TTB1020B 数据手册

TTB1020B

Bipolar Transistors Silicon PNP Triple-Diffused Type

TTB1020B

1. Applications

•

High-Current Switching

•

Hammer Drivers

2. Features

(1) High DC current gain: hFE = 2000 (min) (VCE = -3 V , IC = -3 A)

(2) Low collector-emitter saturation voltage: VCE(sat) = -1.5 V (max) (IC = -3 A , IB = -6 mA)

(3) Complementary to TTD1415B

3. Packaging and Internal Circuit

1. Base

2. Collector

3. Emitter

TO-220SIS

Start of commercial production

2012-09

2020-01-29

Rev.4.0

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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