Datasheet > TTB115N08A

TTB115N08A

更新时间： 2024-11-06 17:00:59

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		栅
页数	文件大小	规格书
10页	805K
描述
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，Trench MOS拥行更低的导通屯阻和栅漏电荷密度，因而拥行更低的导通和开义损耗及更快的开义速度。同时由

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TTB115N08A 数据手册

TTB115N08A,TTP115N08A

Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.

85V N-Channel Trench MOSFET(Preliminary)

Product Summary

General Description

 Trench Power Technology

 Low R_DS(ON)

VDS

85V

I_D(at V_GS=10V)

115A

 Low Gate Charge

 Optimized for fast-switching Applications

R_DS(ON)(at V_GS=10V)

< 7.5mΩ

Applications

100% UIS Tested

 Synchronous Rectification in DC/DC and AC/DC Converters

 Isolated DC/DC Converters in Telecom and Industrial

TO-263

TO-220

Device

Package

TO-263

TO-220

Form

Tape & Reel

Tube

Marking

115N08A

TTB115N08A

TTP115N08A

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

±20

105

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

460

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

390

T_C= 25ºC

200

100

Power Dissipation

P_D

T_C= 100ºC

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_SGT

-55 to 175

ºC

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Thermal Resistance, Junction-to-Case

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Steady-State

R_thJC

R_thJA

0.75

100

ºC /W

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与TTB115N08A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TTB115N08AA	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB118N08A	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB135N68A	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB145N06A	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB145N08A	WUXI UNIGROUP	获取价格	Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T
TTB150D	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|235V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-15
TTB150S	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|235V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-214AB
TTB150T	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|235V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|TO-220AC
TTB200D	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|285V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-15
TTB200S	ETC	获取价格	SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE\|285V V(BO) MAX\|200MA I(S)\|DO-214AB