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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 最大转折电压： | 180 V | 最大维持电流： | 130 mA |
| 最大通态电压： | 3 V | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -25 °C | 重复峰值反向电压： | 100 V |
| 子类别： | Silicon Surge Protectors | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SILICON SURGE PROTECTOR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTB100T | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC |
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| TTB1020B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS |
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| TTB1020B,S4X(S | TOSHIBA |
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TTB1020B,S4X(S |
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| TTB105N06A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB105N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB1067B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -80 V, -2 A, TO-126N |
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| TTB115N08A | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB115N08AA | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB118N08A | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB135N68A | WUXI UNIGROUP |
获取价格 |
Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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