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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TTB100T | ETC |
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SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC |
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| TTB1020B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS |
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| TTB1020B,S4X(S | TOSHIBA |
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TTB1020B,S4X(S |
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| TTB105N06A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB105N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB1067B | TOSHIBA |
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PNP Bipolar Transistor, -80 V, -2 A, TO-126N |
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| TTB115N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB115N08AA | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB118N08A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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| TTB135N68A | WUXI UNIGROUP |
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Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T |
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