5秒后页面跳转
TTB100S PDF预览

TTB100S

更新时间: 2024-11-04 23:38:27
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 二极管击穿二极管
页数 文件大小 规格书
2页 70K
描述
SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|DO-214AB

TTB100S 数据手册

 浏览型号TTB100S的Datasheet PDF文件第2页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与TTB100S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TTB100T ETC

获取价格

SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|180V V(BO) MAX|200MA I(S)|TO-220AC
TTB1020B TOSHIBA

获取价格

PNP Bipolar Transistor, -100 V, -7 A, TO-220SIS
TTB1020B,S4X(S TOSHIBA

获取价格

TTB1020B,S4X(S
TTB105N06A WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTB105N08A WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTB1067B TOSHIBA

获取价格

PNP Bipolar Transistor, -80 V, -2 A, TO-126N
TTB115N08A WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTB115N08AA WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTB118N08A WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T
TTB135N68A WUXI UNIGROUP

获取价格

Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来,和VDMOS相比,T